晶圆之工艺：干式蚀刻技术

    干式蚀刻(又称为电浆蚀刻)是目前最常用的蚀刻方式，其以气体作为主要的蚀刻媒介，并藉由电浆能量来驱动反应。电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响。1>电浆会将蚀刻气体分子分解，产生能够快速蚀去材料的高

　　干式蚀刻(又称为电浆蚀刻)是目前最常用的蚀刻方式，其以气体作为主要的蚀刻媒介，并藉由电浆能量来驱动反应。

　　电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响。

　　1>电浆会将蚀刻气体分子分解，产生能够快速蚀去材料的高活性分子。

　　2>电浆也会把这些化学成份离子化，使其带有电荷。

　　在半导体的制程中，蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除

　　晶圆系置于带负电的 阴极之上，因此当带正电荷的离子被阴极吸引并加速向阴极方向前进时，会以垂直角度撞击到晶圆表面。芯片制造商即是运用此特性来获得绝佳的垂直蚀刻，而后者 也是干式蚀刻的重要角色。

　　1. 电浆内部所产生的活性反应离子与自由基在撞击晶圆表面后，将与某特定成份之表面材质起化学反应而使之气化。如此即可将表面材质移出晶圆表面，并透过抽气动 作将其排出。

　　2. 电浆离子可因加速而具有足够的动能来扯断薄膜的化学键，进而将晶圆表面材质分子一个个的打击或溅击(sputtering)出来。

　　基本上，随着所欲去除的材质与所使用的蚀刻化学物质之不同，蚀刻由下列两种模式单独或混会进行

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